Diodes公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管(SBD)

源自：电子产品世界

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　　Diodes 公司（Diodes）近日宣布推出首款碳化硅（SiC）萧特基势垒二极管（SBD）。产品组合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一项650V 额定电压（4A、6A、8A 和10A）的产品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V 额定电压（2A、5A 和10A）产品。
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　　这些宽带隙SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。这些装置适用于AC-DC、DC-DC 和DC-AC 降压变换器、光伏逆变器、不断电系统和工业马达驱动产品应用。此外，本系列装置也适用于其他各种电路，例如功率因子校正用途的升压转换器。

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上传时间: 2023-2-9 12:04

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　　这些SiC 装置拥有高效率效能，表现优于传统硅晶型产品，能为电源供应器设计人员带来空前产品效能优势，例如：

▲　低电容电荷（QC）可将切换损耗降至极低，进而提升高速切换产品应用的效率。适合用于功率密度具有较高、解决方案总尺寸较小的电路设计。

▲　低顺向电压（VF）可进一步提高效率、降低功率损耗和营运成本。

▲　减少散热，有助于降低整个系统的散热预算。

▲　高突波电流能力可提升稳固性，实现较佳系统可靠性，而出色的热效能还可降低建构成本。
　　本系列装置提供三种封装选项，包括表面黏着TO252-2（WX 型）、通孔TO220AC（WX 型）和ITO220AC（WX-NC 型）。