新型功率半导体器件及应用创新中心成立

源自：科技日报

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　　科技日报讯（记者：俞慧友 通讯员：刘伟 姜杨敏）“新型功率半导体器件及应用创新中心的成立，将推动形成‘技术创新—转化—规模化应用—投资再创新’的闭环，推动创新成果在先进轨道交通、智能电网、消费电子、电动汽车等重要领域的产业化应用。”日前，在湖南株洲召开的“湖南省IGBT产业对接会”上，中国工程院院士、中国IGBT技术创新与产业联盟理事长丁荣军说。
　　新型功率半导体是关系国民经济命脉的共性关键技术，涉及先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、新材料等行业。2016年，我国功率半导体市场规模达1496亿元。其中，湖南在大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）产业发展上，已形成约300亿元的全产业链产值。
　　湖南省经信委副主任陈松岭介绍，该省依托株洲中车时代电气股份有限公司，已初步打造了关键材料—关键设备—元器件—装置/系统—应用及服务平台—行业应用示范的IGBT大功率器件产业链，建成了年产能达12万只芯片的国内首个8英寸大功率IGBT产业化基地，拥有新型功率半导体器件国家重点实验室与国家能源大功率电力电子器件研发中心两个国家级创新平台。
　　为打通技术研发供给、商业化等链条，打破国外垄断，推动我国新型功率半导体技术的突破，株洲中车时代电气股份有限公司发起，联合国家电网公司等8家单位，拟共建“新型功率半导体器件与应用创新中心”。