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[硬件] 

DDR5内存规范正式发布 2021年亮相最高速度6.4Gbps

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 cz1234 发表于: 2020-3-1 19:14:00|显示全部楼层

AMD锐龙5000系列处理器最快2021年Q1问世:7nm+、DDR5来了?

源自:快科技
原文标题:AMD锐龙5000系列处理器最快2021年Q1问世:7nm+、DDR5来了?

  按照AMD的规格,7nm Zen2之后的Zen3架构已经完成开发,将使用7nm+EUV工艺,IPC性能提升10-15%左右,今年下半年发布。Zen3之后就是Zen4了,最新爆料称Zen4处理器最快2021年Q1就能问世。
  德国PCGH网站日前分析了AMD及Intel处理器的最新路线图,首先来看AMD这边的:
  首先7nm Zen2架构的锐龙3000桌面版、锐龙4000移动版已经发布过了,这些没悬念。
  今年下半年发布的还有锐龙4000桌面版,使用的是7nm+工艺、Zen3架构,还是AM4插槽及DDR4内存,这些也没异议,就看发布时间了。

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但是他们对Zen4处理器的爆料有些不一样,包括发布时间及工艺,他们认为Zen4还是7nm+工艺,而且2021年Q1季度就能问世。

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在AMD的官方路线图中,Zen4架构是处于“设计中”的进度,所以很多信息都没确定,之前的猜测是5nm工艺、2021下半年发布,这比较符合AMD一年升级一次的说法。
  但PCGH的爆料显示出了另外一种可能,那就是AMD不会抢先上5nm工艺了,Zen4依然会使用当时更加成熟的7nm+工艺,但是会在架构及平台上升级,比如支持DDR5,AM4插槽也应该要换新。
  在没有官方实锤的情况下,Zen4使用7nm+工艺的可能性不能排除,但PCGH给出的时间点有些诡异,如果Zen3是2020年下半年发布,Zen4怎么可能会在半年内就发布?这不太合理。
  至于Intel那边的路线图,实在是太好说了,从今年的Comet Lake到明年的Rocket Lake,14nm++工艺继续造就完了。
  有变数的是2021年的Alder Lake处理器,之前的爆料有说是14nm继续,又说是10nm工艺,现在只能走着看了。

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 没熟的冬瓜 发表于: 2020-2-14 08:14:00|显示全部楼层
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三星成功开发DDR5芯片 商用时机暂缓

源自:中关村在线
原文标题:三星成功开发DDR5芯片 商用时机暂缓

  随着现代计算机能力的不断发展,推动着存储器件朝着更高性能的方向发展。DDR5作为DDR4的后继者,能支持更快的传输速率和更高的容量。近日,三星电子宣布成功开发DDR5芯片,可提供更强大、更可靠的性能,支持现代服务器不断增长的需求。

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三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV)8 层技术,与DDR4相比,该技术使得DDR5的单个芯片能够包含两倍的堆栈数量。每个双列直插式存储模块(DIMM)还提供高达512GB的存储空间。其数据传输速度高达4800 MT/s,专门用于处理繁重的工作负载。此外,三星DDR5还具有纠错码(ECC)电路,提高产品可靠性。
  虽然,各大内存厂商纷纷推出了DDR5存储产品,但是真正要实现DDR5的普及平台的支持才是最大的问题。但是,目前还没有正式支持DDR5内存的平台,AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽,支持DDR5内存,而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持,官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5,而且是首发服务器产品,消费级的估计还要再等等。
部分图片、文章来源于网络,版权归原作者所有;如有侵权,请联系(见页底)删除
 邵韦 发表于: 2020-2-12 08:04:00|显示全部楼层

DDR5来临 开启内存新时代

源自:中关村在线
原文标题:DDR5来临 开启内存新时代

  虽然 DDR 内存中的大多数开发都是适度的增量,重点是性能改进以满足服务器和个人计算机应用程序要求,但从 DDR4 到 DDR5 的跨越是一个更大的飞跃。在需要更多带宽的驱动下,DDR5 在强大的封装中带来了全新的架构。

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为满足下一代中央处理器的需求,DDR5 带来了更高的数据速率、更低的能耗和更高的密度。DDR5 发布后的最大数据速率为 4800MT/s(百万次/秒),而 DDR4 为 3200MT/s。系统级仿真中的并行比较显示,DDR5 的有效带宽约为 DDR4 的 1.87 倍。
  DDR5 将突发长度增加到 BL16,约为 DDR4 的两倍,提高了命令/地址和数据总线效率。相同的读取或写入事务现在提供数据总线上两倍的数据,同时限制同一存储库内输入输出/阵列计时约束的风险。此外,DDR5 使存储组数量翻倍,这是通过在任意给定时间打开更多页面来提高整体系统效率的关键因素。所有这些因素都意味着更快、更高效的内存以满足下一代计算的需求。但是,DDR5 不仅提高了性能,还提高了可扩展性。
 脆裂性打击 发表于: 2020-1-14 08:54:00|显示全部楼层

SK Hynix展示64GB DDR5-4800 ECC内存样品

源自:新浪科技综合
  本文来自cnBeta.COM
  几年前,包括 SK Hynix 在内的多家内存大厂,就已经开始了首批 DDR5 存储器新品的研发试验。在 CES 2020 上,我们也毫不意外地见到了一些 DDR5 RDIMM 产品。展会上,SK Hynix 展示了具有 ECC 校验的 64GB DDR5 RDIMM 内存模组。其型号为 HMCA8GR8MJR4C-EB,标称数据传输速率为 4800 MT/s。

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(题图 via AnandTech)
  该模组包含了 20 颗 H5CNAG4NMJ 存储芯片,以及 IDT P8900-Z2 寄存器时钟驱动器(RCD)。与 2018年底的 16GB RDIMM 产品相比,两者的标记有些不同。

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  与 DDR4 内存模组一样,DDR5 RDIMM 在 288 个引脚的中间部分略长一些,旨在减少插拔时的阻力。但两者防呆口的设计布局略有不同,以防出现不同平台混插的失误。

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  目前尚不清楚 SK Hynix 是否已开始向服务器平台开发商提供其 DDR5 RDIMM 的样品,但这至少取决于 CPU 制造商的新平台研发推进速度。
  猜测 2021年的时候,我们将迎来首批 DDR5 平台(第一个确认支持 DDR5 内存的平台是基于英特尔 Xeon Sapphire Rapids 的 Aurora 超算)。
部分图片、文章来源于网络,版权归原作者所有;如有侵权,请联系(见页底)删除
 脆裂性打击 发表于: 2020-1-12 15:54:00|显示全部楼层

南亚科宣布10nm级内存完全自主开发 DDR4/LPDDR4/DDR5齐发

源自:快科技
原文标题:南亚科宣布10nm级内存完全自主开发 DDR4/LPDDR4/DDR5齐发

  全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他们的份额高达95%以上,关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛,其他公司突围起来很难。
  南亚科之前的内存也是来自美光授权,今年他们将转向自研的10nm级内存,未来将自产DDR4/LPDDR4/DDR5等内存颗粒。
  在美光前两年全资收购华亚科之后,南亚科技变成了全球第四大内存厂,不过份额只有2%左右,而且技术来源也主要是美光授权,而且技术落后较多,在三星、美光、SK海力士转向1×、1Y、1Znm工艺之后,南亚的主力还是30nm等,来自美光授权,这两年才搞定20nm内存,也是授权+合作研发的模式,南亚上次自己搞内存研发还是99nm时代。
  在10nm级内存芯片中,南亚决定自研了,目前10nm级前导产品预计会在今年下半年试产,主要包括8Gb核心的DDR4、LPDDR4及未来的DDR5,都可以由自研的技术平台生产。
  在解决10nm级内存工艺技术之后,南亚还会继续研发第二代10nm级工艺,预计2022年量产,还会开发第三代10nm级工艺。
 陈卧甫 发表于: 2020-1-10 14:34:00|显示全部楼层

美光 DDR5 实现数据中心性能的进一步提升

源自:电子产品世界
原文标题:美光 DDR5 实现数据中心性能的进一步提升

  Micron Technology,Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布采用行业领先的 1z 纳米制程的 DDR5 寄存型 DIMM(RDIMM)已开始出样。DDR5 是迄今为止技术上最为先进的 DRAM,其内存性能提升至少 85%,从而应对下一代服务器负载。如今数据中心的系统架构正在提供日益增多的处理器核心数、以及更大的内存带宽与容量,而 DDR5 使内存密度翻倍,并同时提升可靠性。
  本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202001/409099.htm
  “几乎所有应用环境的数据都在激增,数据中心从负载的工作中挖掘价值的挑战越来越大,”美光科技计算和网络产品事业部高级副总裁兼总经理 Tom Eby 表示,“更高性能、更高密度和更优质的内存是应对这些负载的关键所在。美光出样 DDR5 RDIMM 是一项重大进展,帮助业界进一步提升了下一代以数据为核心的应用价值。”
  快速增多的数据集和计算密集型应用环境产生了更高要求的工作负载,进而带来处理器核心数的增长,但目前的 DRAM 技术无法满足带宽需求。相较于 DDR4,DDR5 性能提升逾 1.85 倍。DDR5 还实现了现代数据中心所需要的可靠性、可用性和可服务性(RAS)。
  作为内存技术的全球领导品牌,美光在设计、制造、交付及向全球合作伙伴和客户提供支持方面拥有40多年的专业积淀。美光的 DDR5 SDRAM 产品组合采用了比以往更高的标准。
  2020 Micron、Micron徽标及其他Micron商标均为Micron Technology,Inc.(美光科技股份有限公司)所有。所有其他商标分别为其各自所有者所有。
部分图片、文章来源于网络,版权归原作者所有;如有侵权,请联系(见页底)删除
 落语 发表于: 2020-1-9 16:04:00|显示全部楼层

SK海力士展示DDR5 RDIMM内存:单条容量可达64GB

源自:cnBeta
原文标题:SK海力士展示DDR5 RDIMM内存:单条容量可达64GB 来源:cnBeta.COM

  在CES 2020大展上,韩国DRAM和NAND闪存巨头SK海力士(SK Hynix)展示了最新的存储创新技术。在他们的展台上,最吸引人的莫过于“4D NAND”技术,以及首批基于该技术的消费级产品。
  4D NAND作为一个概念最初于2018年8月上线,自然它没有涉及到第四维度。传统的3D NAND芯片主要使用电荷捕获型闪存堆栈,该堆栈在空间上位于外围模块旁边,该外围模块负责将所有这些CTF堆栈布线。在4D NAND中,外围块与CTF堆栈本身堆叠在一起,从而在2-D平面上节约了空间,以便用于增加密度。

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在CES 2020展台上,外媒TechPowerUp发现了两款使用128层4D NAND的客户端细分硬盘--Platinum P31 M.2 NVMe和Gold P31 M.2 NVMe。从技术角度上来说,Platinum P31和Gold P31是相同的,只是容量(也包括耐用性)上存在差异。

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两者都采用PCI-Express 3.0×4和NVMe 1.3驱动,完全使用自家硬件构造,当然主控、DRAM缓存和128层4D NAND闪存等均是由SK Hynix自己制造。
  Platinum P31仅具有2 TB的容量和1,500 TBW的耐用性;Gold P31的容量为500 GB和1 TB,分别为375 TBW和750 TBW。两个驱动器均提供高达3500 MB/s的顺序读取和高达3200 MB/s的顺序写入。

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此外SK海力士还展示了最新一代的DDR5 RDIMM。RDIMM专为下一代企业平台(例如英特尔“Sapphire Rapids”)而设计,频率为DDR5-4800 MHz,最高可以提供64 GB的密度。

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Sk海力士还提供了最新的LPDDR4×和原型LPDDR5存储解决方案,旨在为下一代5G智能手机和超便携式计算机提供澎湃动力。展台还现场演示了使用LPDDR4×解决方案和UFS 3.0存储的智能手机,利用手机的前置摄像头并立即生成4个高质量的滤镜效果(这需要巨大的处理能力和存储带宽)。
  LPDDR4×已经将数据速率推向了4,667 MT/s DDR,而LPDDR5将会从5,500 MT/s起步,并且会比LPDDR4×提供更低的功耗。
 刘作 发表于: 2020-1-9 15:44:00|显示全部楼层

美光DDR5技术可助力下一代数据中心服务器内存性能提升85%

源自:cnBeta
原文标题:美光DDR5技术可助力下一代数据中心服务器内存性能提升85% 来源:cnBeta.COM

  All About Circuits 报道称:到 2024年,美国数据中心市场营收预计将超过 690亿美元。随着越来越多的企业和个人依赖数据中心的日常使用,软硬件的可靠性,将成为保持这些服务正常运行的关键。实现这一方面的主要目标,就是提高内存的性能。好消息是,美光刚刚宣布已向特定合作伙伴出样基于 DDR5 的 RDIMM 内存。

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(图自:Micron,via All About Circuits)
  作为 DDR4 后续产品,DDR5 意味着“第五代双倍速率 SDRAM”,并且引入了重大的改进。
  以同频的 3200 MT/s 传输速率为例,DDR5 的有效带宽较 DDR4 提升了 1.36 倍。
  在更高的数据传输速率(4800 MT/s)下,DDR5 的性能更是较 DDR4 提升了 1.87 倍。
  在快速扩张的数据和计算密集型应用中,以及随着处理器核心数量的爆发式增长,当前的 DRAM 技术已经面临严重的带宽短缺。

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不过美光的最新一代 DDR5 DRAM 技术,能够将内存性能提升 85%,为应对下一代服务器的工作负荷做好了充分的准备。

▲ 在一众新功能中,占空比调节器(DCA)电路可校正控制器接收的 DQ 和 DQS 信号中出现的小占空比。

▲ DQS 间隔振荡器电路允许控制器监视由于电压和温度的变化而导致的 DQS时钟延迟变化。

▲ 辅以改进的 READ 前置、命令和地址训练模式,芯片选择、以及写均衡训练模式。

▲ 写入均衡使得系统能够补偿每个 DRAM 设备的 CK 路径与 DW 和 DWS 路径之间的模块时序差异。

▲ 借助专用寄存器来读取训练模式,并且可获取命令和地址、芯片选择和 DQ 引脚内的参考电压。

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现代数据中心还对存储等部件的可靠性、可用性、可维护性(RAS)提出了更高的要求,但这颗通过 DDR5 的多项功能来实现,比如片上错误校正码(ECC)。

▲ 在从 DDR5 器件输出数据之前,可先在 READ 命令期间执行校正,以减轻系统的错误校正负担。设计伊始,DDR5 就已经考虑到了 Hamming 代码的 EDD 实现。

▲ DDR5 SDRAM ECC 具有错误检查和清除(ECS)功能,可读取内部数据、并在发生错误时写回校正后的数据,而且支持手动或自动执行。

▲ 打包后修复(PPR)功能也支持软(sPPR)或硬(HPPR)模式,分别对应永久性修复和临时性修复,且 PPR 具有跟踪资源可用性的能力。

▲ 启动时,每个 DRAM 设备可确定各个存储体中 PPR 资源的可用性,然后设置一组模式寄存器来追踪信息。
  综上所述,美光为 DDR5 SDRAM 产品组合提供了众多功能,旨在为数据中心客户带来更高的性能和更多的创新。
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 瓜子米米 发表于: 2020-1-8 09:04:00|显示全部楼层

CES 2020:美光开始向服务器合作伙伴提供DDR5内存样品

源自:cnBeta
原文标题:CES 2020:美光开始向服务器合作伙伴提供DDR5内存样品 来源:cnBeta.COM

  美光(Micron)在本届消费电子展(CES 2020)上宣布,其已开始向特定的合作伙伴提供 DDR5 RDIMM 内存样品,意味着后者已经拥有支持 DDR5 内存的服务器 CPU/平台。该公司预计,与 JEDEC 标准的 DDR4 存储器相比,其初代 DDR5 产品有望带来 1.85 倍的性能等诸多改进。除了高达 6400 MT/s 的数据传输速率,每个 DDR5 模组还使用了两个独立的 32/40 位通道(支持/不支持 ECC 校验),从而提升了通道利用率。

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(题图 via AnandTech)
  此外,DDR5 还提高了命令总线的效率,因为这些通道具有自己的 7 位地址(Add)/命令(Cmd)总线、更好的刷新方案、增加了 Bank Group,带来了额外的性能提升。
  更重要的是,DDR5 规范允许设计容量高于 16Gb 的内存颗粒、将工作电压降低至 1.1 V、还允许 3%(± 0.033 V)的波动范围。

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换言之,新一代内存可降低功耗、并用于构建具有更高存储容量的服务器。对于使用具有更多处理器核心数量的下一代服务器平台来说,内存带宽和容量的增加,都是至关重要的。
  尽管美光尚未透露提供给合作伙伴的 DDR5 RDIMM 内存的确切样品规格、也未宣布何时开始商业销售,但我们可以推测,支持 DDR5 的服务器将在几个季度后投放市场,平台开发者已正在确定上市日期。

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美光公司计算与网络业务部高级副总裁兼总经理 Tom Eby 表示:“数据中心的工作负载,将面临越来越大的挑战”。
  想要从企业和个人各方面数据的爆发性增长中获取价值,就需要速度更快、存储密度更高的内存。
  而美光的 DDR5 RDIMM 样品,即代表了服务器平台的一个里程碑,因其在利用下一代内存的扩展能力方面迈出了重要的一步。
 不做胖妹妹 发表于: 2020-1-7 00:51:55|显示全部楼层

美光出样DDR5内存:1Znm工艺、性能提升85%

源自:快科技
原文标题:美光出样DDR5内存:1Znm工艺、性能提升85%

  2020年AMD、Intel即将推出的新一代CPU处理器还会支持DDR4内存,但是下一代DDR5内存已经近在眼前,2021年就会正式上市。今天美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存,基于1Znm工艺,性能提升了85%。
  与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低,起步频率至少4800MHz,最高6400MHz。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。
  美光现在出样的DDR5内存使用了最新的1Znm工艺,大概是12-14nm节点之间,ECC DIMM规格,频率DDR5-4800,比现在的DDR4-3200内存性能提升了87%左右,不过距离DDR5-6400还有点距离,后期还有挖掘的空间。

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对DDR5内存来说,平台的支持才是最大的问题,目前还没有正式支持DDR5内存的平台,AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽,支持DDR5内存,而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持,官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5,而且是首发服务器产品,消费级的估计还要再等等。

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部分图片、文章来源于网络,版权归原作者所有;如有侵权,请联系(见页底)删除
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