DDR5内存规范正式发布 2021年亮相最高速度6.4Gbps

源自：快科技

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　　最近一年来，DDR4内存芯片持续降价，如今8GB DDR4单条内存也不复三年前接近千元的售价之勇，只要200多块就可以搞定。
　　很多玩家对DDR4内存也没感觉了，期待早点用上DDR5内存，不过DDR5内存的进展没有想象的那么快，2020年各大存储芯片厂商才会量产DDR5内存，两三年后才能普及。
　　主导内存标准制定的JEDEC规范组织虽然之前宣布2018年正式发布DDR5标准，但实际上并没有，最终规范要到2020年才能完成，其目标是将内存带宽在DDR4基础上翻倍，速率3200Mbps起，最高可达6400Mbps，电压则从1.2V降至1.1V，功耗减少30%。
　　实际上三星、美光及SK海力士试验中的DDR5内存标准起点很高，其中SK海力士去年11月份推出了首个符合JEDEC规范的DDR5内存，频率达到了DDR5-5200，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，带宽也高达41.6GB/s，可以每秒传输11部全高清电影。
　　今年内DDR5内存显然是没戏了，预计2020年开始会有DDR5内存应用，SK海力士也表态他们会在2020年开始量产DDR5内存。
　　目前决定DDR5内存的依然是支持平台，在这方面AMD、Intel的动作都是很慢的，毕竟时机还不够成熟，AMD明年的Zen3架构也确定是AM4兼容，会继续支持DDR4内存，而Intel在2020、2021年还会继续推14nm处理器，也没可能升级DDR5。
　　倒是10nm Tiger Lake可以期待下，因为移动版的Tiger Lake-U支持了LPDDR5，后者跟DDR5标准虽然不是一回事，但这也意味着10nm Tiger Lake-S桌面版有望首发DDR5内存，反正这两家至少要到2021年才能跟进DDR5桌面/移动版支持。
　　相比消费级市场，服务器市场应该是最快用到DDR5内存的，Intel今年推出的10nm工艺Agilex FPGA就支持了DDR5，8月底开始出货。
　　不过DDR5内存虽然来的比较晚，但普及速度会比DDR4更快，IDC报告称DDR5内存需求将在2020年开始抬升，2021年可占整个内存市场的25%，2022年即高达44%，2023年就能成为市场主流。

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　　AMD的Zen 2系列处理器即将推出，带来更多的核心数量，更高的效率和更高的IPC。而在不久的未来，AMD计划在2020年中期推出Zen 3“米兰”服务器CPU。

　　在Zen 2“罗马”服务器处理器上，AMD计划将其DDR4内存支持从2666MHz提升到更高速度。AMD的Forrest Norrod在最近接受Anandtech的采访时表示“确实比DDR4-2666快更多”。
　　“DDR5是一种不同的设计”，因此需要AMD的新CPU插槽。由于“米兰”支持和与现在EPYC处理器相同的SP3插槽，AMD的Zen 3台式机处理器也将继续使用DDR4内存。2020年的Ryzen第四代处理器可能是最后使用DDR4内存的AMD CPU。

源自：快科技

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　　SK海力士近日公布了第一颗DDR5-6400内存芯片，频率高达6400MHz，是现在多数DDR4内存的两倍左右，而单颗容量为16Gb（2GB）。
　　SK海力士的这种DDR5-6400内存采用1ynm工艺制造，也就是第二代10nm级别工艺（DRAM工艺现在极少明确到个位数），四个金属层，面积为76.22平方毫米。

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　　这是什么概念呢？
　　SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb（1GB）DDR4内存芯片面积是76平方毫米，等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量，存储密度翻了一番。

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　　不过，76.22平方毫米仍然是相当大的面积，成本肯定很高，后续仍依赖于工艺的进步，比如第二代21nm工艺的8Gb DDR4就缩小到了53.6平方毫米，足足30%。
　　当然了，翻番的存储密度可以有效抵消上涨的成本，更何况还可以做出更小的4Gb芯片。
　　另外，新内存的工作电压仅为1.1V，相比于DDR4标准的1.2V又降低了大约8%，而很多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很危险的1.5V。

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　　为了达成6400MHz高频率、1.1V低电压，SK海力士在电路设计上费了不少心思，比如为了减少高频下的时钟抖动、时钟占空比失真，加装了新的延迟锁定环DLL，使用了相位旋转器（phase rotator）、注频锁相振荡器（injection locked oscillator）。
　　另外还有新的前向反馈均衡（FFE）电路，以及新的写入均衡训练算法。

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　　目前，三星电子、SK海力士、美光等巨头都在冲刺DDR5，但是行业规范迟迟没能定下来，原计划2018年底出炉现已严重超时，而且JEDEC组织一直没有给出新的时间表。
　　而在另一方面，针对智能手机等低功耗便携式设备的LPDDR5都已经搞定了。

源自：新浪科技综合

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　　本文来自cnBeta.COM
　　三星和SK海力士已表示有意帮助其合作伙伴尽早发布采用新DDR5内存规范的新设备，有趣的是，这两家公司的目标都定在了今年年底。这个消息是在固态技术协会（JEDEC）正式宣布LPDDR5之后发布的。
　　三星将内存升级工作的应用面限定得较窄，主要面向其移动设备-可能是未来的智能手机-而SK海力士将专门为台式机开发DDR5内存。
　　据报道，SK海力士在国际固态电路会议上展示了DDR5规范的16GB内存模块。工作电压1.1V，为每个引脚输出6.4GB/s的吞吐量。
　　而三星的DDR5内存基于10nm制程，电压更低，为1.05V，每个引脚的速度达7.5GB/s。
　　DDR5内存将取代目前的DDR4内存，更快更高效，并提供更好的性能。然而，与所有新事物一样，新的存储器在初始阶段肯定不便宜。

源自：快科技

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　　电子测量企业Keysight Technologies近日推出了业界第一个完整的DDR5 DRAM测试与验证系统“N6475A DDR5 Tx”，为新一代内存的研发打开了方便之门。这套系统包括Keysight N6475A DDR5 Tx兼容测试软件、M8040A 64 Gbaud高性能比特误码率测试仪（BERT）和Infiniium UXR系列实时示波器两种硬件，可对DDR5内存进行抖动、电子、时序、波形、眼图方面的测试，包括DDR5芯片、数据缓冲、寄存器芯片的发射器物理层。
　　程序会自动将测试结果与DDR5标准规范的兼容标准进行对比，展示产品是否通过每一项测试。
　　在此之前，DDR5产品的开发者们必须自己设计软件，或者手动执行所有测试、分析，现在有了Keysight的这套完整测试与验证系统，可以大大加速DDR5内存的研发、优化。

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　　DDR5内存标准规范仍在制定中，最大特点就是频率飙升，起步就是4800MHz，最高有望达到6400MHz，还有更低的电压、更好的ECC纠错、更高的总线效率等。
　　多家芯片厂商也已经陆续展示了自己的DDR5内存设计或产品，预计今年底量产，明年开始普及。

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源自：IT之家

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　　IT之家11月19日消息，根据外媒的报道，IDC数据的预测DDR5内存将于2020年成形，2021年占据 25%份额，现在刚入DDR4 内存的小伙伴也可安心，DDR5全面普及之前DDR4还能再战几年。
　　IT之家之前也曾报道，SK海力士是第一家宣布符合JEDEC标准的DDR5 DRAM的公司，有望在2020年上市，正好赶上英特尔和AMD发布新的CPU架构。
　　根据研究公司Trendforce的数据，全球排名第二的内存制造商SK海力士（SK Hynix）宣布将推出的DDR5内存模块。DDR5是下一代DDR内存，预计将比其前身DDR4提供更高的带宽，速度和更低的功耗。
　　据悉，DIMMS采用8x16Gb（千兆位）DDR5模块，速度达到PC5-5200（即5200Mbps）。这比最高的“标准”JEDEC DDR4速度等级3200Mbps要快得多（60%）。据DDR存储器制造商称，与DDR4相比，这些模块的工作电压现在为1.1V，功耗节省高达30%。

源自：IT之家

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　　IT之家10月18日消息，根据AnandTech的报道，今年早些时候，Cadence和美光进行了业界首次公开演示下一代DDR5内存。在本月早些时候的台积电活动中，两家公司提供了有关新内存技术开发的一些更新。看来，规格还没有在JEDEC最终确定，但美光仍然预计将在2019年末开始生产DDR5内存芯片。

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图自ANANDTECH
　　正如5月份所述，DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT/s的I/O速度，电源电压降至1.1 V，允许的波动范围为3%（即±0.033V）。每个模块使用两个独立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5将具有改进的命令总线效率（因为通道将具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）总线），更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。
　　事实上，Cadence甚至表示，与DDR4相比，改进的DDR5功能将使实际带宽提高36%，即使在3200 MT/s（此声明必须进行测试）和4800 MT/s速度开始，与DDR4-3200相比，实际带宽将高出87%。与此同时，DDR5最重要的特性之一将是超过16 Gb的单片芯片密度。

源自：新浪科技综合

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　　本文来自爱活网
　　笔记本和手机对内存颗粒的需求依赖一直高企，以至上游厂商不光把产能往低功耗DDR上集中，技术研发投入也是如此。三星日前发布官方通稿称，自己已经成功研制出LPDDR5内存颗粒，而且已经着眼量产──要知道JEDEC去年才开始制定DDR5标准，并计划在今年的某个时间敲定详细技术规格。三星这一跳，相当于提前捅出下一代内存的部分细节。

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　　三星LPDDR5内存颗粒的传输速率目标为6.4Gbps/pin，在典型的32-bit总线条件下可提供25.6GB/s的内存带宽，相比现行的LPDDR4/LPDDR4×标准快了一半。如果以当今旗舰手机惯用的64-bit内存总线算，采用LPDDR5颗粒可以实现超过50GB/s的内存带宽，笔记本128-bit就更高了。
　　三星LPDDR5的每个内存通道有16个bank，比旧标准翻了一倍，但通道数和LPDDR4/4×的双16-bit通道不同，是以单32-bit通道做的，等于回到了以前LPDDR3时的标准，同时又保持了LPDDR4的16n预取。如何仅凭这些改变就能达到带宽提升50%是三星留下的谜题，现阶段他们没有更多信息公开。

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　　目前比较有把握的推测是，三星在LPDDR5上使用了类似于GDDR5的差分时钟频率机制，简单说来就自主超频，但这样带宽是上去了，能耗怎么往下走又成了问题，目前三星只是说LPDDR5的工作电压又有下调，但究竟如何调的，细节也没有公布。对外他们只表示引入了一个新功能防止覆写存储0的单元，从而节省将其重设的能耗。
　　三星提供了两个不同的LPDDR5规格，一个是比较快的6.4Gbps@1.1v，另一个是5.5Gbps@1.05v，不过因为还没真正开始量产，所以不要期待它能立马出现在市场上，至少也要在JEDEC把DDR5的正式标准定下来之后，三星才能动工。
　　不过也不会过太久了，手机用的LPDDR5三星应该能在标准敲定的第一时间开始出货，x86笔记本们可能就……要多等好一段时间吧。

源自：新浪科技综合

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　　本文来自PChome电脑之家
　　三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片，之后，就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。昨日消息，三星宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级工艺。据悉，该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb（1GB），8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。其内存带宽最高可达6400Mbps（1.1V工作电压下），是LPDDR4×4266Mbps的1.5倍。与此同时，功耗比LPDDR4×降低高达30%，主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术的加入。

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　　新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分，后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片（2017年12月量产）和16Gb DDR5内存芯片（今年2月份开发完成）。LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等，三星称，5G和AI将是其主力服务的场景。三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。

源自：IT之家

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　　Cadence近日发布公告，称他们联合美光已经生产的全球首个DDR5内存的原型产品，包括控制器和PHY物理层，采用台积电7nm工艺制造，目前运行的频率为4400MHz。

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　　而内存的标准制定商JEDEC组织则表示会在今年夏季正式确定DDR5内存的标准，目前对于DDR5的探索主要在于新工艺的验证以及原型计算单元的检验，内存的具体规格乃至形状还需要夏季的标准出来才知道。
　　根据Cadence提供的消息，DDR5内存控制器的数据率为4400MT/s，时序CL达到了42，同时原型内存的电压为1.1V，目前运行的频率为4400MHz。据悉根据JEDEC组织的预想，未来DDR5内存的最高频率可以达到6400MHz。
　　此外DDR5允许加入内部ECC来制造16Gb、32Gb颗粒，也就是说我们可以看到超大容量的DDR5内存出现在市面上。Cadence还表示首款DDR5的内存将会在2019年上半年面世，随后进入快速发展期，到2022年的市场份额可以达到25%。