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但与此同时,计算系统的前进道路并没有放缓。动态 AI 系统已准备好为人们生活的方方面面(从道路安全到药物发现和先进制造)提供动力,这就需要未来出现性能更强大的芯片。因此,为了延续摩尔假设的速度和计算能力的进步,我们需要制造具有多达 1000亿个晶体管的芯片。
IBM 研究院与三星合作,在半导体设计方面取得了突破性进展,声称有助于摩尔定律在未来几年保持活力,并重塑半导体行业。他们提出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新方法,称为垂直传输纳米片场效应晶体管(Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor,VTFET)。如下为 VTFET 晶圆示意图: