巴蜀网

 找回密码
 免费注册

QQ登录

只需一步,快速开始

开启左侧
查看: 26|回复: 0
 iiu101 发表于: 2019-4-16 15:04:54|显示全部楼层|阅读模式

[2019年] 三星宣布完成5纳米EUV工艺研发:性能提高10%

 [复制链接]
源自:IT之家
  三星官网发布消息称,三星电子已经成功完成5nm EUV开发,以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。

sPG9-hvsckth5879021.jpg
  三星电子称,其5纳米(nm)FinFET工艺技术的开发已经完成,现在可以为客户提供样品。通过在其基于极紫外(EUV)的工艺产品中添加另一个尖端节点,三星称再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。
  与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而能够拥有更多创新的标准单元架构。
  三星称,5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm知识产权(IP)重用到5nm。因此,7nm客户过渡到5nm将极大地受益于降低的迁移成本,预先验证的设计生态系统,从而缩短他们的5nm产品开发时间。
  “成功完成5nm开发,我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力,”三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分其下一代产品,我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”
  2018年10月,三星宣布准备并初步生产7nm工艺,这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品,并于今年初开始量产7nm工艺。
  此外,三星正在与6nm的客户合作,这是一个定制的基于EUV的工艺节点,并且已经收到了其首款6nm芯片的流片产品。
  三星代工厂基于EUV的工艺技术目前正在韩国华城的S3生产线上生产。此外,三星将把其EUV产能扩大到华城的新EUV生产线,该生产线预计将在2019年下半年完成,并从明年开始增产。
『 巴蜀网 』提醒,在使用本论坛之前您必须仔细阅读并同意下列条款:
  1. 遵守《全国人大常委会关于维护互联网安全的决定》及中华人民共和国其他各项有关法律法规,并遵守您在会员注册时已同意的《『 巴蜀网 』管理办法》;
  2. 严禁发表危害国家安全、破坏民族团结、破坏国家宗教政策、破坏社会稳定、侮辱、诽谤、教唆、淫秽等内容;
  3. 本帖子由 iiu101 发表,享有版权和著作权(转帖除外),如需转载或引用本帖子中的图片和文字等内容时,必须事前征得 iiu101 的书面同意;
  4. 本帖子由 iiu101 发表,仅代表用户本人所为和观点,与『 巴蜀网 』的立场无关,iiu101 承担一切因您的行为而直接或间接导致的民事或刑事法律责任。
  5. 本帖子由 iiu101 发表,帖子内容(可能)转载自其它媒体,但并不代表『 巴蜀网 』赞同其观点和对其真实性负责。
  6. 本帖子由 iiu101 发表,如违规、或侵犯到任何版权问题,请立即举报,本论坛将及时删除并致以最深的歉意。
  7. 『 巴蜀网 』管理员和版主有权不事先通知发帖者而删除其所发的帖子。
分享到:
您需要登录后才可以回帖 登录 | 免费注册

本版积分规则

© 2002-2019, 蜀ICP备12031014号, Powered by 5Panda
GMT+8, 2019-6-18 15:47, Processed in 19.063233 second(s), 11 queries, Gzip On, MemCache On
快速回复 返回顶部 返回列表