著名微电子学家陈星弼院士逝世

源自：中国科学院官方微博

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原文标题：著名微电子学家陈星弼院士逝世

　　新京报快讯 据中国科学院官方微博4日消息，陈星弼院士逝世。
　　据中科院网站资料，陈星弼是半导体器件及微电子学专家。原籍浙江浦江，1931年1月28日生于上海。1952年毕业于同济大学电机系。电子科技大学教授。1999年当选为中国科学院院士。

源自：新华网

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原文标题：“中国功率半导体领路人”陈星弼院士在成都逝世

　　新华社成都12月4日电（记者：吴晓颖）记者4日从电子科技大学获悉，中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于4日17时10分在成都逝世，享年89岁。
　　陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江。1952年从同济大学电机系毕业后，他先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。
　　陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他一生发表学术论文200余篇，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。
　　陈星弼曾获得国家技术发明奖、科技进步奖等诸多荣誉，2015年获得IEEE ISPSD（国际功率半导体器件与集成电路年会）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

源自：光明日报

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原文标题：陈星弼院士逝世

　　本报成都12月5日电九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日在四川成都逝世，享年89岁。
　　陈星弼，1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEELifeFellow）。
　　陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。
　　陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEEISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEEISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

源自：光明日报

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原文标题：陈星弼：“以科学服务人类，这就是我此生不倦的追求”

【追思】
　　“陈老师治学严谨，热爱学生，讲课循循善诱，几十年过去了仍历历在目。”“在那些考研的时光里，那个年过八旬还每日去实验室的身影成为自己坚持下去的动力。”“先生桃李芬芳满天下，祖国半导体的发展离不开您的努力，吾辈当自强。”……
　　12月4日晚，电子科大发布讣告：国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEELifeFellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。随后，网上跟帖无数，纷纷表达对陈星弼院士的缅怀和追思。
　　一位电子科大校友回忆说，在学校时，经常碰到陈星弼院士在散步，但从来不会主动与他打招呼，因为他说过，他习惯走路思考，不要打断他。而现在，一边散步一边思考问题的陈星弼院士走了，他的名言却始终激励着后来人：“能够在短短的人生中，以科学服务人类，这就是我此生不倦的追求。”
　　如他自己所言，陈星弼的一生，正是以科学服务人类的一生。他的超结发明专利打破了传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。该发明专利成功转让并实现产业化，其延伸产品惠及人类社会生活的方方面面。
　　功率半导体是以功率处理为核心的半导体，与之对应的是更为大众所熟知的以信息处理为核心的信息半导体。在手机、电脑等电子产品中，信息半导体是这些产品的“大脑”和“神经”，负责感知、运算、操纵等，实现电子产品的设计功能；而功率半导体则是这些产品的“心脏”和“血脉”，负责将电能以不同的电压、电流、频率等合适的参数传输给传感器、摄像头等用电终端。
　　现代电力电子技术的发展，使功率器件在多数情形下是用作一种开关，性能上一般要求耐高压、导通时电流密度大、导通时器件上压降低、开关速度高、驱动功率小。在20世纪80年代，传统的功率器件的发展遇到了著名的“硅极限”瓶颈，功率器件的性能提升陷入困境。陈星弼的发明突破了这个瓶颈，使功率器件的性能得到全面突破性提高。
　　1998年，西门子公司用陈星弼发明的方法，制作成新的功率器件，在国际上引起轰动，被认为是近二十年来功率器件的一个新里程碑。“还有其他公司在那段时间都来和我联系过，这些大公司机制先进、实力雄厚、条件充足，制造这种器件的能力远高于我们。”陈星弼说。
　　当时中国没有实验条件，但陈星弼非常清楚该发明的价值，于是他申请了中国专利，也申请了美国专利。他没有将技术藏起来，而是尽快转化、服务社会。如今，他的美国专利，已被国际专利引用超过550次，并授权给国际主流半导体公司，惠及全世界。
　　2008年，陈星弼发表的一篇论文指出，现在世界上70%以上的电能，都是经过半导体功率器件变换其形式而应用的，功率器件的年销售额仅次于集成电路。陈星弼的发明专利成功转让并实现产业化后，截至目前，超结器件在全球的年市场销售额超过10亿美元。
　　因对我国和全世界功率半导体产业的突出贡献，陈星弼于1999年当选为中国科学院院士，2015年5月获得IEEEISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年，他入选IEEEISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。
　　陈星弼对人类进步的贡献，远不止于此。他是我国功率半导体领域的领路人和集大成者，一生发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。
　　陈星弼更是一名好老师，他在上讲台前总是将教案熟悉到极致，所有理论体系、知识案例都在他的脑海里形成一个严密的体系。走上讲台，只需几张卡片，课程内容就像水流一样涓涓不息地淌出来。
　　直至耄耋之年，陈星弼依然坚持亲自指导研究生、博士生，关心每一个学生的成长。他要求每一位学生都能背诵《兰亭集序》《前出师表》和《岳阳楼记》，不仅学习古文经典，更要领会其中的家国情怀。在战火中长大、1980年首次赴美参会时发现中国科技远远落后于人的陈星弼，不仅把自己的一生献给了科学事业，也希望更多同学能投身科学事业：“真正有献身精神的人，才是科研发展的脊梁。”

（本报记者李晓东周洪双）

源自：四川在线

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　　四川在线消息（记者：李寰）国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。

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　　因对我国功率半导体领域的突出贡献，陈星弼先生于1999年当选为中国科学院院士。因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，他于2015年5月获得IEEE ISPSD大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年5月，因发明的超结器件成为国内首位入选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂的科学家。
　　陈星弼先生1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江省金华市浦江县。1952年毕业于同济大学电机系。毕业后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系担任助教。1956年到成都电讯工程学院（现电子科技大学）任教。1983年任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者。
　　陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子工业部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师。他是国际著名的半导体器件物理学家、微电子学家，是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。

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　　陈星弼先生于上世纪五十年代末，在国际上最早对漂移晶体管的存贮时间问题作了系统的理论分析。七十年代，他在我国率先制造硅靶摄像管。八十年代以来，从事功率半导体器件的理论与结构创新方面的研究。在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，并第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。上世纪八十年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构打破了传统功率器件的硅极限，被国际学术界称为“功率器件的新里程碑”。

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　　2000年以后，陈星弼先生的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。他发表超过200篇学术论文和获得授权中美等国发明专利40余项，其中著名的超结发明专利US 5216275被国际专利他引超过550次，并授权给国际主流半导体公司。他主持完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等。

[中国功率半导体器件领路人]
　　陈星弼与半导体结缘于1958年。当年，在中国科学院进修的陈星弼被漂移晶体管吸引住了，当时他被指派去为计算机做半导体器件的测试。他以一个科研工作者的天赋，敏感地意识到这一领域具有极大的研究价值和发展潜能。不久，他写了第一篇论文《关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题》，这篇论文被美国斯坦福大学教授毕列卡于1967年在《晶体管的电特性》中引用，日本管野卓雄教授在陈星弼发表论文4年后才发表了相关问题的论文。第一篇论文就大获成功是陈星弼没有想到的，但是这份成功却无形中让陈星弼对未来的科研之路充满了信心和憧憬。
　　真正让陈星弼走进世界舞台对中央，是因为他对“第二次电子革命”对的贡献。20世纪90年代初，行业内专家认为，陈星弼的几项发明成为第二次电子革命的突破口，这一创新在十年内将无人能突破。

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　　在这背后，陈星弼的付出是巨大的。
　　要让功率管实现对电能的控制，主要的方法是开关。要想实现对开关的自由控制，就要实现开关的高灵敏、智能化。但是，功率管要求耐高电压而集成电路只能耐低电压。国外不得不把功率管和集成电路“隔离”开来，耗费巨大成本，还“费力不讨好”。陈星弼决心啃下这块硬骨头，要让仪器不仅有了一个“聪明的大脑”，还能做到“四肢发达”，让做开关的功率管能够轻松地直接连到集成电路上。经过多年的试验，陈星弼通过改变功率管的结构，发明了复合缓冲耐压结构，现称为超结器件，它的优点是导通电阻低，易驱动，速度快。该技术已经获得美国和中国发明专利。自1998年起，国外已有8家公司在制造。这个方法的工艺被改进后，成本大大下降，目前已成为一种重要产品，科技成果转化市场规模每年超过10亿美元。
　　（图片来源电子科技大学官网）