雷军总结“挨批评最多的一年” 推出第三款自研芯片澎湃P1

源自：第一财经网

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原文标题：雷军总结“挨批评最多的一年”推出第三款自研芯片澎湃P1

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上传时间: 2021-12-29 17:14

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“这一年，可能是我受到用户批评最多的一年。经历了这些磨难跟痛苦之后，我更加坚信小米铁律──技术为本。”12月28日，小米集团创始人、董事长兼CEO雷军在现场对2021年做出总结。
　　今年雷军与小米同事因小米11、小米Ultra等机器质量问题被网友反复质疑，雷军称他与同事的压力很大，也会一条条仔细看网友评论。他称，“2021年，对小米来说，是跌宕起伏的一年，虽然进展不少，但波折也很多。“
　　在研发投入方面，两年前，小米发布了未来5年计划总研发投入500亿元的研发投入计划。两年时间过去了，小米的工程师团队已超过了16000人，并已投入了220亿元。今天，雷军认为小米还有更大的梦想，500亿远远不够。小米计划更新原有的研发投入计划──将原有的500亿元提高到1000亿元，比原计划翻一番。并表示小米正式对标苹果，三年做到全球手机销量第一。
　　前几日，小米集团合伙人、高级副总裁卢伟冰在其个人微博发文表示，“将智能手机做小比做大更难，因为手机的内部空间有限，而用户对于配置的要求又比较高；如果小米不做小尺寸旗舰，那么Android阵营就没有一款产品可以对标iPhone13，那么用户的选择也是比较少的。”
　　对标苹果进一步明确了小米转型高端机型的方向，但小米与苹果之间，在硬件制造、软件开发、生态建设等领域的差距，仍需时间来弥补。此前高端机型小米11、小米11 Ultra因品控问题导致的烧主板、烧WiFi、黑屏等质量问题引发网络热议。

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此次小米12 Pro搭载4nm制程Armv9架构新一代骁龙8旗舰平台，升级过去的Armv8架构，官方宣称新机将采用超大石墨层、VC均热板、以及白石墨烯，应对骁龙8 Gen1芯片的发热。高通公司产品管理副总裁 Ziad Asghar 此前表示，与前代产品相比，骁龙8 Gen1在CPU、GPU等多个领域，功效与散热都将有所改善。
　　另外，此次小米12Pro搭载了120W小米澎湃秒充，其澎湃芯片P1采用了120W单电芯方案。澎湃P1充电芯片之前，小米曾发布28纳米的澎湃S1芯片；2021年3月，小米发布ISP（图像信号处理）芯片澎湃C1，搭载于小米首款折叠屏手机MIX FOLD上，小米集团手机部总裁曾学忠表示澎湃C1研发总投入约为1.4亿元。
　　此次所发布的充电芯片澎湃P1在行业人士看来，虽然并非是大众所关心的SoC芯片，但从形态来看也算是芯片的一种，且目前国内手机厂商直接做SoC芯片难度太大、投入成本过高，大部分厂商会选择先从难度较低的领域入手，逐渐积累。
　　另一位芯片行业人士对第一财经记者表示，充电领域小米此前主要是通过购买其他厂商的快充方案进行，而快充芯片是手机厂商均需竞争的领域，与SoC相比较，充电模拟芯片工艺演进较慢，需要耐压耐流，考验厂商的芯片设计水平；而SoC主要是由数字IP堆积，工艺一直处于演进动态中。
　　另外，该人士称，耐压方面，快充芯片的适配度排名是碳化硅、氮化镓、CMOS，而在消费级则主要以CMOS以及氮化镓为主，此次小米快充芯片主要是与上海南芯半导体科技有限公司（简称“南芯”）合作完成。但截至发稿，小米方面暂未对该消息进行确认。
　　今年12月，南芯推出高集成度GaN解决方案SC305x系列，助力客户打造高功率密度、高安全、高可靠性的快充产品。