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 红英 发表于: 2018-5-1 00:06:03|显示全部楼层|阅读模式

[硬件] DDR5内存规范正式发布 2021年亮相最高速度6.4Gbps

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  DDR5是一种计算机内存规格。
  2020年7月15日,JEDEC固态存储协会正式发布了DDR5 SDRAM标准(JESD79-5),为全球计算机拉开新时代序幕。

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 邵韦 发表于: 2020-7-15 13:54:00|显示全部楼层
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JEDEC正式发布DDR5内存规范 冲击DDR5-6400及更高频率

源自:cnBeta
原文标题:JEDEC正式发布DDR5内存规范 冲击DDR5-6400及更高频率 源自:cnBeta.COM

  电子器件工程联合会(JEDEC)终于在今日正式发布了下一代主流存储器(DDR5 SDRAM)的最终规范。自 90年代末以来,双倍数据速率(DDR)存储器技术已经历了多次迭代,并且推动了 PC、服务器等生态的快速发展。而最新的 DDR5 规范不仅再次扩展了 DDR 内存的功能,且速率也较上一代 DDR4 轻松翻倍。预计基于新标准的硬件,将于 2021年陆续在服务器和 PC 客户端等设备上得到采用。
  据悉,JEDEC 最初于 2018年提出了 DDR5 的内存规范。虽然今日发布的正式版本来得有些晚,但并没有降低新一代存储器标准的重要性。
  与往年的历次迭代一样,DDR5 再次将重点放在了 DRAM 存储的密度和速率上。JEDEC 将两者都提升了一倍,最大内存速率也设置到了 6.4Gbps 起步、单条 LRDIMM 容量有望达到 2TB。
  为了实现这一目标,业内一直在努力改进生态支持,比如让 DIMM 上的电压调节器和芯片级 ECC 校验做到更加精细。

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  与 DDR4 内存相比,DDR5 最直观的变化,依然体现在容量和密度上。经历了数年的设计研发,DDR5 标准已支持单颗 64Gbit 的 DRAM 存储芯片,是 DDR4 最大允许容量(16Gbit)的四倍。
  结合管芯堆叠工艺,还可将多达 8 组管芯塞入单个芯片,那样 40 个单元的 LRDIMM 即可达成 2TB 的有效存储容量。至于不那么起眼的无缓冲 DIMM,典型双面配置亦可达成 128GB 的单条内存容量。
  需要指出的是,相对于频率和带宽的提升,制造密度的提升要相对慢一些,但标准依然具有相当深远的前瞻性。对于内存制造商来说,今年已可使用 8Gbit 和 16Gbit 的芯片来制造 DDR5 内存。

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  从 DDR3 到 DDR4 的过渡,JEEDC 已让内存带宽从 1.6Gbps 提升到 3.2Gbps。但是即将上市的 DDR5 产品,再次轻松地超越了 50%(至 4.8Gbps),未来更是有望达成 6.4Gbps。
  内存制造商之一的 SK 海力士预计,十年后可达成 DDR5-8400。为实现这一目标,显然需要对 DIMM 的底层(比如内存总线)和配套的逻辑器件加以大量的改进。
  与我们在 LPDDR4 和 GDDR6 等标准中看到的情况类似,单个 DIMM 可被分解为两个通道。因为 DDR5 不会为每个 DIMM 提供一个 64-bit 数据通道,而是为两个独立的 32-bit 数据通道(ECC 则是 40-bit)。

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  与此同时,每个通道的突发长度从 8 字节(BL8)翻倍到了 16 字节(BL16),意味着每个通道可在每次操作时交付 64 字节,从而让有效带宽较 DDR4时代增加了一倍。
  对于标准的 PC 台式机平台而言,DDR5 系统可用 4×32-bit 的配置,来代替 DDR4 系统上的 2×64-bit 设置。内存条仍将成对安装,而不是回到 32-bit 的 SIMM时代(但现在的最低配置是 DDR5 较小通道中的两个)。
  这种结构上的变化,还在其它地方引发了一些连锁反应。比如 DDR5 引入了更高细粒度的存储器刷新功能,允许在使用某些存储器的同时刷新其它存储器,从而实现更快的刷新(给电容器充电)。
  存储器的最大 Bank 数量也从 4 组翻倍到了 8 组,有助于减轻顺序内存访问带来的性能损失。
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 跳台 发表于: 2020-7-15 10:33:59|显示全部楼层

PC新时代开启!DDR5内存标准正式发布:4800MHz频率起跳、功耗降低

源自:快科技
原文标题:PC新时代开启!DDR5内存标准正式发布:4800MHz频率起跳、功耗降低

  盼望着、盼望着、它终于来了!
  今日(7月15日),JEDEC固态存储协会正式发布了DDR5 SDRAM标准(JESD79-5),为全球计算机拉开新时代序幕。
  简言之,DDR5内存芯片Bank数量翻番到32,每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD电压从DDR4的1.2V降至1.1V,也就是减少功耗。此外,芯级ECC、更好的设计伸缩性、更高的电压耐受度等都保证了性能、产能、工艺水准等。
  按照JEDEC的说法,DDR5内存的引脚带宽(频率)是DDR4的两倍,首发将以4.8Gbps(4800MHz)起跳,比末代DDR4的标准频率3200MHz增加了50%之多,总传输带宽提升了38%,未来将最高摸到8400MHz左右。
  DDR5内存发布后,AMD、Intel、三星、美光、SK海力士等厂商纷纷出面站台,SK海力士更是再次强调,其DDR5内存定于今年内量产。
  不过,Intel、AMD尚未有成熟的平台支持DDR5内存,估计企业级先行,比如下半年基于Zen 3的AMD热那亚(EPYC 3)等,Intel这边据说是明年底Eagle Stream平台(LGA4677)的首发产品,Sapphire Rapids架构处理器首发支持DDR5内存。

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 东京热 发表于: 2020-5-27 23:43:56|显示全部楼层

Intel拍胸脯:DDR5、PCIe 5.0明年见!

源自:快科技
原文标题:Intel拍胸脯:DDR5、PCIe 5.0明年见!

  因为种种原因,Intel的产品规划这两年调整非常频繁,路线图经常出现变动,无论是消费级还是企业级。
  在近日与投资者沟通时,Intel公关总监Trey Campbell就保证说,将在今年第二季度末(最迟至6月底)发布代号Ice Lake-SP的下一代至强服务器平台,明年某个时候则会带来Sapphire Rapids。
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Ice Lake-SP将采用和移动端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工艺、Sunny Cove CPU架构,并更换新的LGA4189封装接口,核心数量和频率暂时不详(据说最多38核心),但会引入PCIe 4.0总线,最多64条,而内存继续支持DDR4,但是会从六通道扩充到八通道,频率也有望提升至3200MHz。
  Sapphire Rapids则会使用增强版的10nm+工艺,升级到更新一代的Willow Cove CPU架构,据说可达56核心112线程,并首次引入DDR5内存、PCIe 5.0总线,据说前者还是八通道,后者则有最多50条。
  在桌面上,据说Intel Alder Lake(12代酷睿)也将引入DDR5内存,AMD方面则预计要等到Zen 4架构。
  有趣的是,Ice Lake-SP之前其实还规划有一套至强平台Cooper Lake,依然是14nm工艺,架构、技术规格也没有太大变化,只要增强机器学习,而接口也是新的LGA4189。
  这样的设计自然无法吸引OEM客户,Intel也不得不缩减其规模,仅供四路、八路市场,而这个市场是非常非常小的。

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 心了之火 发表于: 2020-5-14 19:04:00|显示全部楼层

DDR4走向末路 Intel规划12代酷睿支持DDR5内存

源自:cnBeta
原文标题:DDR4走向末路 Intel规划12代酷睿支持DDR5内存 来源:快科技

  当下DIY装机,DDR4高频条多数是首选。不过,业内对DDR5的准备也在悄然推进中,SK海力士、南亚科都是今年投产。那么平台方面,最新消息称,Intel Alder Lake-S将首次添加对DDR5内存的支持,且会是DDR5-4800级别。
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Alder Lake对应的应该是第十二代酷睿,CPU基于Golden Cove微架构,GPU是Xe迭代版。
  依照之前的信息,Alder Lake并非Intel第一套支持DDR5的平台,明年的服务器Sapphire Rapids更早一步,只是与普通消费者无缘而已。至于AMD,据说是Zen4开始支持DDR5、USB4这些。
  另外,爆料还偷跑了一些Rocket Lake(第11代酷睿,14nm)的信息,与95瓦、80瓦和65瓦三个TDP版本,极限烧毁功耗都是251瓦,超频设定较为保守,很考验散热器。
 今夜有雪 发表于: 2020-5-9 21:12:10|显示全部楼层

10nm DDR5内存来了 AMD Zen4严阵以待:2022年见

源自:快科技
原文标题:10nm DDR5内存来了 AMD Zen4严阵以待:2022年见

  AMD今年将推出Zen3架构的新一代锐龙处理器,这将是最后的AM4平台,再往后就要技术大升级了,DDR5、USB4都在准备中。对于DDR5内存,全球第四大内存厂商南亚科技宣布建设10nm DDR5产线,下半年试产。
  全球前三大内存厂商──三星、SK海力士及美光从去年就开始宣布DDR5内存了,他们垄断了全球95%的份额,南亚是第四大内存厂商,不过全球份额只有3%左右,资金及技术实力要比TOP3弱很多。
  在前三大厂商纷纷投身DDR5内存的过程,南亚这次也抓紧了,而且新一代内存采用的是自研10nm技术,不再用购买授权的方式生产,这也有助于南亚降低成本、加速研发。
  南亚日前宣布,2020年将额外增加65.6亿新台币的资本开支,再加上之前确定的92亿新台币投资,全年开支将达到157.6亿新台币,约合37.3亿人民币,主要建设10nm生产线。
  南亚的10nm生产线除了DDR4内存之外,主力还是未来的DDR5内存,不过他们并没有公布自家DDR5内存的技术细节。
  与DDR4内存相比,DDR5内存频率更高,功耗更低,最低是DDR5-3200,不过TOP3试产的内存远高于此,普遍达到了DDR5-5000以上,未来可以轻松达到了DDR5-6400,最高可达DDR-8400。
  DDR5内存今年底就有可能率先用于服务器市场,2021年才会大规模扩展,但桌面版要支持DDR5就有点远了,目前来看AMD在2022年发布的Zen4架构锐龙处理器应该会是首个支持DDR5的桌面平台。
  至于Intel这边,2021年的7nm蓝宝石激流(Sapphire Rapids)也会支持DDR5,不过桌面版的至少也是2022年了,估计要等到7nm Alder Lake处理器那一代了。
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 万府 发表于: 2020-4-3 10:23:27|显示全部楼层

SK海力士公布DDR5内存规范:频率高达8400MHz、今年量产

源自:快科技
原文标题:SK海力士公布DDR5内存规范:频率高达8400MHz、今年量产

  尽管JEDEC固态协会尚未敲定DDR5内存标准的最终细节,但作为联合制定者的韩国SK海力士率先将自家产品细节公之于众。
  简单来说,DDR5内存频率从3200MHz起跳(厂商一般都会从4800MHz出货)、最高可达8400MHz(时序瑟瑟发抖……)。
  核心容量密度方面,SK海力士给出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此丰富的选择,也就是说,DDR5时代单条内存最大可到128GB。
  其它参数也均有明显改进,两个关键电压VDD/VDDq和VPP分别从1.2V、2.5V将至1.1V、1.8V,可进一步缓解高频下的功耗和发热,区块翻番到32Banks,而且还支持芯级ECC纠错、同区块刷新这样的高级特性。

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  SK海力士透露,通过重新设计反馈平衡电路,解决杂讯,才得以实现引脚带宽的增加。
  速度方面,以典型的DDR5-4800内存为例,其速度是DDR4-3200的1.5倍、传输带宽也提升了38%。
  SK海力士表示,DDR5内存定于今年内量产,初期以10nm级16Gb容量为主,也就是单条最大32GB。
  根据IDC的预判,DDR5内存今年开始见涨,2021年市场规模达到22%,2022年达到43%成为主力。不过,Intel、AMD尚未有成熟的平台支持DDR5内存,估计企业级先行,比如下半年基于Zen 3的AMD热那亚(EPYC 3)等。

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 没熟的冬瓜 发表于: 2020-3-29 17:34:00|显示全部楼层

单条可达256GB DDR5内存今年开始出货:十几个实例正在准备中

源自:快科技
原文标题:单条可达256GB DDR5内存今年开始出货:十几个实例正在准备中

  今年智能手机用上了LPDDR5新一代内存,桌面版的DDR5还要再等等,AMD/Intel两家的新平台还没来。不过DDR内存十年换一代的机会来了,2020年已经有十几个DDR5实例在准备中,速率从DDR5-4800起跳,单条容量可达256GB。
  目前JEDEC官方组织还没正式公布DDR5内存规范,但是三星、SK海力士、美光三大DRAM芯片供应商早就研发出了DDR5内存芯片,不过他们的目标是2021年开始大规模量产出货。

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DDR5的应用除了看内存芯片之外,各种DDR5 IP也很关键,Cadence公司工程师就提到2020年将是DDR5内存的出货之年,目前他们已经有十几个DDR5设计实例在进行中。
  不过DDR5今年出货也主要是针对服务器应用,在企业、云、服务器等行业最具吸引力。
  与DDR4内存相比,DDR5内存一大优势就是更快,速率会从DDR5-4800起跳,然后12-18个月就会提升一次,很快就能达到DDR5-5200、DDR5-5600的速率上。
  不过速率提升只是DDR5规范中的一部分,更重要的实际上是DDR5内存的密度,16Gb核心容量只是起步,很快会达到24Gb,接着就是32Gb,单条可以做到256GB。
  这样一来每通道内存512GB容量也会轻松实现,因为每通道支持2条内存,使用256GB单条就可以让大型数据中心支持超大容量内存了。

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 吕抗 发表于: 2020-3-28 10:24:00|显示全部楼层

Intel、AMD推迟支持:DDR5内存明年杀到

源自:快科技
原文标题:Intel、AMD推迟支持:DDR5内存明年杀到

  据外媒报道称,由于种种原因所致,Intel和AMD两家要在明年才能拿出支持DDR5内存的平台了。
  三星方面也已经表示,2021年量产DDR5内存,并且使用EUV工艺,制作将会在韩国平泽的新工厂进行,三星同时宣布第一批采用EUV工艺的DDR4内存已经出货了100万。
  三星表示EUV技术减少了光刻中多次曝光的重复步骤,并提高了光刻的准确度,从而提高性能、提高产量,并缩短了开发时间。三星估计,使用EUV工艺生产DDR5内存,其12英寸D1a晶圆的生产效率会比旧有的D1x工艺的生产力提升一倍。

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据悉,三星第四代10nm级(D1a)DRAM或高端14nm级DRAM开始全面导入EUV技术,明年会使用D1a工艺大规模量产DDR5和LPDDR5芯片,预计会使12英寸晶圆厂的生产效率翻倍。
  DDR5内存的标准是在2019年发布的,标准带宽是32GBps,至于这个内存更多的细节,目前还不清楚。

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 牛蛙 发表于: 2020-3-25 15:34:00|显示全部楼层

三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

源自:快科技
原文标题:三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

  当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。
  这家韩国巨头今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完成全球客户评估,这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。
  得益于EUV技术,可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤,并进一步提升产能。
  三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片,预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。
  不过,目前支持DDR5的PC平台尚未亮相,LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb(2GB),地点是平泽市的V2线。
  根据三星此前的预判,EUV将帮助公司至少推进到3nm尺度。

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 脆裂性打击 发表于: 2020-3-11 19:03:42|显示全部楼层

中国芯片工厂停摆、DDR5延期?美光辟谣:一切正常

源自:快科技
原文标题:中国芯片工厂停摆、DDR5延期?美光辟谣:一切正常

  韩媒报道称美国美光公司在中国地区的工厂及办公室也受到了严重影响,生产中断,拖累DDR5量产,不过美光方面否认了相关报道。
  最近的疫情危机不仅影响了很多的生活,更重要的是导致一些工厂不能正常开工。韩国媒体报道称,春节期间,美光公司在中国地区不仅办公室工作受到影响,生产线也一度陷入停摆。
  韩媒指出,美光中国区目前已经开始恢复生产,但是临时中断产线已经带来严重损失,还推迟了DDR5内存量产的计划,对客户的供货也会出现问题。
  针对这些报道,美光公司下午发表声明否认,声称美光致力维持安全的工作环境,除了密切关注国际性新冠肺炎的疫情发展,也已在办公场区域实施健康筛检、差旅管制等必要措施。
  美光表示截至目前为止,亚洲所有厂区的日常营运几乎未受任何影响,产线运行一切如常,后续也将持续关注情势发展并加以因应。

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